高速度高密度低功耗自旋轨道矩磁存储器研究与集成

报告人:蔡凯明

报告时间:2024年12月19日(周四)上午10:00-11:30

报告地点:西校区三教3A203

报告摘要

磁性存储器(MRAM)具备高速度、低功耗、高密度和非易失性等优势，有望成为集成电路“后摩尔时代"存储器的解决方案。

本次报告将结合CMOS先进节点要求，介绍SOT-MRAM工业研发进展，分别展示基于后道工艺(BEOL)兼容的材料、器件、电路与集成架构等优化方案，最后展示极致SOT器件和集成。该优化器件表现优越的写入速度、使用寿命、高集成密度等性能，将有望满足未来高性能存储芯片需求。

报告人简介

蔡凯明，华中科技大学物理学院和集成电路学院教授，博士生导师。

2011年华中科技大学取得学士学位，2017年中国科学院半导体研究所取得博士学位，2017-2020年在新加坡国立大学从事博士后研究，2021-2023年在比利时欧洲微电子中心(IMEC)任永久职位高级研究员，负责垂直SOT-MRAM器件和集成研究。2023年6月入职华中科技大学，继续从事自旋电子学器件物理研究。

专注于磁存储器研究，具备丰富的基础科学和工业研发经验，取得一系列国际影响力的创新性成果。

近年来在学术期刊和国际会议发表论文40余篇，包括Science、Nature Electronics (2篇)、Nature Materials、Nature Nanotechnology、IEEE VLSI (2篇)、IEEE IEDM(3篇)、Nature Communications (4篇)、Science Advances、National Science Review.Physical Review Letters等，并申请了9项国际/国内专利。

截至目前，研究成果引用3000余次。